現(xiàn)有技術(shù)中藍(lán)寶石生產(chǎn)工藝存在的能耗高、晶體生長溫度無法精確調(diào)控導(dǎo)致的晶體生長緩慢、質(zhì)量差等問題，我們公司提供了一種坩堝上升法制備高品質(zhì)藍(lán)寶石晶體 的方法，本方法是結(jié)合現(xiàn)有藍(lán)寶石晶體生長方法之提拉法、泡生法及坩堝下降法等的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行改進(jìn)得到的，依據(jù)在晶體生長體系中起著支配作用的溫場分布與熱量 輸送原理，通過準(zhǔn)確地實(shí)時監(jiān)控不同溫區(qū)溫度變化、精確控制坩堝上升速度、籽晶棒上升與旋轉(zhuǎn)速度及晶體生長過程的監(jiān)測，從而實(shí)現(xiàn)高速高成品率獲取晶體之目 的。

技術(shù)方案為：一種坩堝上升法制備高品質(zhì)藍(lán)寶石晶體的方法，根據(jù)溫度由高到低的梯次變化將晶體生長爐內(nèi)部分為四個溫度區(qū)，分別為由加熱體加熱的高溫區(qū)、坩堝 內(nèi)氧化鋁熔體的熔體溫區(qū)、籽晶棒上所生長晶體與熔體接觸的界面溫區(qū)和用冷氣降溫的低溫區(qū)，所述高溫區(qū)和低溫區(qū)之間通過鉬制或鎢制分隔板隔開，可提升的坩堝 穿過分隔板并介于高溫區(qū)和低溫區(qū)之間，以使籽晶棒和氧化鋁熔體分別處于分隔板的上部和下部；晶體生長過程中，通過控制坩堝的上升速度以及籽晶棒的上升速度 以使坩堝中氧化鋁熔體的液面與高溫區(qū)和低溫區(qū)的分隔板高度始終保持一致。

技術(shù)特點(diǎn)：本技術(shù)將爐體內(nèi)分隔成四個溫度區(qū)，通過對四個溫度區(qū)的溫度監(jiān)控并進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使其具有較佳的溫度梯度，從而準(zhǔn)確控制固液界面溫度，提高晶體生長 的較佳熱場方式，進(jìn)而找到晶體生長較佳途徑，以利于提高晶體生長速度和晶體生長質(zhì)量；同時，由于通過坩堝升降裝置和籽晶棒升降裝置配合，使得坩堝內(nèi)氧化鋁 熔體的液面（即晶體生長部位）始終保持在一個位置，可以精確控制其溫度，從而利于晶體的生長。

本技術(shù)所涉及不同因素之間關(guān)系：

1）坩堝高度隨著晶體生長的變化；

2）液態(tài)界面高度隨著晶體生長的變化；

3）籽晶棒的高度隨著晶體生長的變化；

4）四個子熱場之間的溫度關(guān)系。

5）晶體生長時間與晶體重量之關(guān)系：

6）溫度梯度與晶體重量之關(guān)系

7）成品率關(guān)系式

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